离子注入主要是形成阱（WELL）、低掺杂区（LDD）、以及重掺杂区（P+/N+）。
离子注入过程中，光刻胶受到高能离子的轰击，离子的能量可以打破光刻胶分子链中的化学键，使这些分子重新交联，形成更为稳定的化学结构。这种交联使得光刻胶表面有一层硬壳，从而增加了去除的难度。
采用O2 plasma灰化和湿法结合的方法。可以先用O2 plasma轰击光刻胶硬壳表面，使“新鲜”的光刻胶露出，然后再用SPM==》RCA去除光刻胶及产生的颗粒。
SPM：浓硫酸+双氧水；RCA1：氨水+双氧水；RCA2:盐酸+双氧水
但是O2 plasm会对芯片表面的硅造成少量的损伤，在低端制程（节点<65nm）不用考虑硅的损失。当高端制程时，需要完全使用湿法工艺进行去除。
